Der Siliziumkarbidschaft besteht aus hochreinem Siliziumkarbidpulver mit hervorragenden mechanischen Eigenschaften und chemischer Stabilität und wird hauptsächlich bei hohen Temperaturen, Korrosion, starker Belastung und anderen rauen Bedingungen eingesetzt.

Das Siliziumkarbid-Heizelement ist ein elektrisches Hochtemperatur-Heizelement, das aus hochreinem grünem Siliziumkarbid und Ruß durch Hochtemperaturverkieselung und Rekristallisation hergestellt wird. Im Vergleich zu anderen metallischen elektrischen Heizelementen bietet es die Vorteile einer Säure- und Alkali-Korrosionsbeständigkeit, einer starken Oxidationsbeständigkeit, einer großen Oberflächenlastdichte, eines schnellen Temperaturanstiegs, einer guten Wärmeschockbeständigkeit, eines kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten, einer hohen Wärmeleitfähigkeit und einer hohen Arbeitstemperatur. Lange Lebensdauer, bei Integration mit einem automatischen elektronischen Steuerungssystem kann nicht nur eine genaue konstante Temperatur erreicht werden, sondern auch eine automatische Temperaturregelung entsprechend den Anforderungen des Produktionsprozesses erreicht werden.

Die Härte der kugelsicheren Siliziumkarbid-Keramikplatte ist hoch und erreicht mehr als HV2600 und die kugelsichere Qualität erreicht NIJ IV-Niveau, das als Auskleidung von Körperpanzerungen und als Schutzpanzerung von Fahrzeugen, Flugzeugen und Schiffen verwendet werden kann.

Das Substrat ist das Grundmaterial von Halbleiterchips, das je nach Widerstand in leitende und halbisolierende Typen unterteilt werden kann. Halbleiterbauelemente aus Siliziumkarbidsubstrat können die Anwendungsanforderungen von hohen Temperaturen, hoher Spannung und größerer Leistung besser erfüllen. Die Form ist im Allgemeinen rund und der Durchmesser beträgt normalerweise 2 Zoll (50 mm), 3 Zoll (75 mm), 4 Zoll (100 mm). ), 6 Zoll (150 mm), 8 Zoll (200 mm) und andere Spezifikationen.

Siliziumkarbid-Wafer, eine neue Generation von Halbleitermaterialien, können zur Herstellung einer Vielzahl elektronischer Geräte verwendet werden, wie z. B. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), Schottky-Diode, Fotodiode usw.

Die Siliziumkarbidschale wird nach dem Sintern aus hochreinem Siliziumkarbidpulver geformt und dient als Trägervorrichtung für Halbleiterherstellungsprozesse wie RTA (Rapid Thermal Annealing), PVD (Physical Vapour Deposition), ICP (Induktiv gekoppeltes Plasma), CMP (chemisch). mechanisches Polieren) und so weiter.

Die Hauptfunktion einer Düse besteht darin, die Flüssigkeit oder das Gas durch den Injektionsvorgang in die erforderliche Form, Geschwindigkeit und Richtung umzuwandeln.

Siliziumkarbidlager ist eine Art Hochleistungslager, das hauptsächlich aus Innenring, Außenring und Rollen besteht und sich durch hohe Härte, Verschleißfestigkeit, geringes Gewicht, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit usw. auszeichnet Geeignet für raue Arbeitsumgebungen und Hochgeschwindigkeitsanlässe.