Siliziumkarbid-Keramiksubstrat SiC-Substrat

Das Substrat ist das Grundmaterial von Halbleiterchips, das je nach Widerstand in leitende und halbisolierende Typen unterteilt werden kann. Halbleiterbauelemente aus Siliziumkarbidsubstrat können die Anwendungsanforderungen von hohen Temperaturen, hoher Spannung und größerer Leistung besser erfüllen. Die Form ist im Allgemeinen rund und der Durchmesser beträgt normalerweise 2 Zoll (50 mm), 3 Zoll (75 mm), 4 Zoll (100 mm). ), 6 Zoll (150 mm), 8 Zoll (200 mm) und andere Spezifikationen.

Marke:
ATCERA
Artikelnr.:
AT-SIC-CD001

Materialien
SiC
Formen
Substrate
Anwendungen
Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry

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Eigenschaften von Siliziumkarbid-Keramiksubstrat

Siliziumkarbidsubstrat weist eine gute Wärmeableitung, eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine hohe elektrische Feldstärke beim Durchbruch, eine große Energielücke und eine gute Korrosionsbeständigkeit auf, kann die Anforderungen von Hochleistungs-, Verlust- und Hochfrequenzkomponenten erfüllen und kann langfristig aufrechterhalten werden Stabile Leistung in rauen Umgebungen.

1. Gute Stabilität bei hohen Temperaturen

Das SiC-Substrat weist eine gute Hochtemperaturstabilität auf, und die durch das Siliziumkarbidsubstrat erzeugte Gitterverformung ist in der Hochtemperatur-Arbeitsumgebung gering, und es ist nicht leicht, dass eine Expansionsverformung oder eine außer Kontrolle geratene Wärmeausdehnung auftritt.

2. Hohe chemische Stabilität

Siliziumkarbid-Substrat weist eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit auf und kann der Korrosion von Säure- und Alkaliumgebungen standhalten. Seine chemische Stabilität ist gut, keine Korrosionsprobleme bei Langzeitgebrauch.

3. Hervorragende mechanische Eigenschaften

Das SiC-Substrat weist eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit und Härte auf, kann großen Druck- und Drehmomentkräften standhalten und ist gut verschleißfest. Unterdessen ist sein Elastizitätsmodul groß, der Elastizitätsmodul ist hoch und lässt sich nicht leicht verformen oder aneinander kleben.

Anwendungen von SiC-Substrat

Siliziumkarbidsubstrat ist das Grundmaterial von Halbleiterchips. Im Vergleich zu Siliziumsubstrat kann es die Anforderungen von Hochtemperatur, Hochspannung, Hochfrequenz und großer Leistung besser erfüllen und wird häufig in Elektrofahrzeugen und zur Photovoltaik-Stromerzeugung eingesetzt , Schienenverkehr, Rechenzentren, Ladesäulen und andere Produkte und Geräte.

1. Hochleistungsgeräte (leitender Typ): Siliziumkarbidsubstrat hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe elektrische Durchbruchfeldstärke, einen geringen Energieverlust und ist für die Herstellung von Hochleistungsgeräten wie Leistungsmodulen, Antriebsmodulen usw. geeignet.

2. Elektronische Hochfrequenzgeräte (halbisolierter Typ): Siliziumkarbidsubstrat hat eine hohe Leitfähigkeit, kann die Anforderungen von Hochfrequenzarbeiten erfüllen und ist für HF-Leistungsverstärker, Mikrowellengeräte und Hochfrequenzschalter geeignet;

3. Fotoelektronische Geräte (halbisolierter Typ): Siliziumkarbid-Substrat hat eine große Energielücke und hohe thermische Stabilität, geeignet für die Herstellung von Fotodioden, Solarzellen und Laserdioden und anderen Geräten;

4. Temperatursensor (leitender Typ): Siliziumkarbidsubstrat weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität auf und eignet sich für die Herstellung von Temperatursensoren mit großem Arbeitsbereich und hoher Präzision.

Größentabelle für Siliziumkarbid-Keramiksubstrat

Wir sind bestrebt, optimale SiC-Substrate zu liefern, die genau auf Ihre Spezifikationen zugeschnitten sind. Unser engagiertes Team sorgt für die sorgfältige Einhaltung Ihrer Anweisungen und ist bestrebt, die Erwartungen der Kunden zu übertreffen. Darüber hinaus bieten wir die Flexibilität kundenspezifischer Größen, um Ihren individuellen Anforderungen gerecht zu werden.

Größen- und Materialparameterinformationen müssen bereitgestellt werden, wenn ein individuelles Design gewünscht wird.

Anforderungen für individuelles Design senden

Bearbeitungstoleranz:

1. Durchmesser: ±0,25 mm

2. Dicke: ±25 μm

3. Kristallorientierung: <001> ±0,5°

4. Ausrichtung der Kristallfläche: ±0,5°

5. Kantenausrichtung: ≤2°

Andere Parameter kontaktieren Sie bitte ATCERA.

Drawing of SiC Substrate Square

SiC-Substratquadrat
Artikel-Nr.	L×B (mm)	Dicke (mm)
AT-SIC-CD001	10*3	0,5/1,0
AT-SIC-CD002	10*5	0,5/1,0
AT-SIC-CD003	10*10	0,5/1,0
AT-SIC-CD004	15*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD005	20*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD006	20*20	0,5/1,0

Drawing of SiC Substrate Round

SiC-Substrat rund
Artikel-Nr.	Durchmesser (Zoll)	Dicke (mm)
AT-SIC-CD101	2	2
AT-SIC-CD102	3	3
AT-SIC-CD103	4	4
AT-SIC-CD104	6	2
AT-SIC-CD105	8	3

Technische Daten von Silizium-Karbid Materialien

Artikel		Einheit	Indexdaten
Artikel		Einheit	Reaktionsgesintertes SiC (SiSiC)	Mit SiC gebundenes Siliziumnitrid (NBSiC)	Gesintertes SiCn ohne Druck (SSiC)
SiC-Gehalt		%	85	80	99
Kostenloser Siliziuminhalt		%	15	0	0
Max. Service-Temp.		â	1380	1550	1600
Dichte		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosität		%	0	12	0
Biegefestigkeit	20â	Mpa	250	160	380
Biegefestigkeit	1200â	Mpa	280	180	400
Elastizitätsmodul	20â	Gpa	330	220	420
Elastizitätsmodul	1200â	Gpa	300	/	/
Wärmeleitfähigkeit	1200â	W/m.k	45	15	74
Wärmeausdehnungskoeffizient		K-1×10-6	4,5	5	4.1
Vickers-Härte	HV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Diese Tabelle veranschaulicht die Standardeigenschaften der Siliziumkarbidmaterialien, die üblicherweise bei der Herstellung unserer SiC-Produkte und -Teile verwendet werden. Bitte beachten Sie, dass die Eigenschaften kundenspezifischer Siliziumkarbidprodukte und -teile je nach den spezifischen Prozessen variieren können.

Saubere Methoden

1. Alkalisches Reinigungsmittel: Ein alkalisches Reinigungsmittel kann organische Schadstoffe und einige anorganische Verunreinigungen auf der Oberfläche von Siliziumkarbid entfernen. Der Benutzer kann ein alkalisches Reinigungsmittel mit Natriumhydroxid und Tensid wählen. Beim Reinigen wird das Siliziumkarbidsubstrat in der Reinigungslösung eingeweicht, dann mit Ultraschallwellen gerührt und schließlich mit entionisiertem Wasser gespült.

2. Saures Reinigungsmittel: Saures Reinigungsmittel kann Metallionen und einige anorganische Schadstoffe auf der Oberfläche von Siliziumkarbid entfernen, indem saure Reinigungsmittel verwendet werden, die Flusssäure und Salpetersäure enthalten. Beim Reinigen wird das Siliziumkarbidsubstrat in der Reinigungslösung eingeweicht, dann mit Ultraschallwellen gerührt und schließlich mit entionisiertem Wasser gespült.

3. Sauerstoffplasmareinigung: Die Sauerstoffplasmareinigung ist eine physikalische Reinigungsmethode, die organische und anorganische Schadstoffe auf der Oberfläche von Siliziumkarbid durch die chemische Reaktion von Sauerstoffplasma entfernt. Bei der Reinigung wird das Siliziumkarbidsubstrat in die Plasmareinigungsmaschine gelegt, Sauerstoff injiziert und Plasma erzeugt und anschließend gereinigt.

Wertvolle Informationen

SiC-Substratverpackung

SiC-Substrate werden sorgfältig in geeigneten Behältern verpackt, um mögliche Schäden zu vermeiden.

Vorteile der Anpassung

1. Analysieren Sie entsprechend Ihrem Anwendungsszenario den Bedarf und wählen Sie das entsprechende Material und den Verarbeitungsplan aus.

2. Professionelles Team, schnelle Reaktion, kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestätigung der Nachfrage Lösungen und Angebote bereitstellen.

3. Flexibler Mechanismus für die geschäftliche Zusammenarbeit, unterstützt mindestens eine Mengenanpassung.

4. Stellen Sie schnell Muster und Testberichte zur Verfügung, um zu bestätigen, dass das Produkt Ihren Anforderungen entspricht.

5. Unterbreiten Sie Produktnutzungs- und Wartungsvorschläge, um Ihre Nutzungskosten zu senken.

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