Siliziumkarbid-Wafer SiC-Wafer

Eigenschaften von Siliziumkarbid-Wafern

Elektronische Komponenten auf Siliziumkarbidbasis haben eine gute Wärmeableitung, eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine hohe elektrische Feldstärke beim Durchbruch, eine große Energielücke, eine gute Korrosionsbeständigkeit, können die Anforderungen von Hochleistungs-, Verlust- und Hochfrequenzkomponenten erfüllen und lange aufrechterhalten Langfristig stabile Leistung in rauen Umgebungen.

1. Geringer Energieverlust: Der Schaltverlust und der Ein-Aus-Verlust von Siliziumkarbidmodulen sind deutlich geringer als bei herkömmlichen IGBT-Modulen, und mit zunehmender Schaltfrequenz ist der Verlustunterschied beim IGBT-Modul umso größer;

2. Kleine Packungsgröße: Elektronische Komponenten aus Siliziumkarbid sind kleiner als siliziumbasierte Komponenten derselben Spezifikation und weisen einen geringeren Energieverlust auf, sodass sie eine höhere Stromdichte bieten können;

3. Hochfrequenzschaltung: Die elektronische Sättigungsdriftrate von Siliziumkarbidmaterial ist doppelt so hoch wie die von Silizium, was zur Verbesserung der Betriebsfrequenz von Komponenten beiträgt;

4. Hohe Temperaturbeständigkeit, gute Wärmeableitung: Die Bandlückenbreite und Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ist etwa dreimal so groß wie die von Silizium, sodass es höheren Temperaturen standhält und die erzeugte Wärme leichter abgeführt werden kann, was die Miniaturisierung und das geringe Gewicht des Systems begünstigt .