Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element
Silicon carbide heating element

Siliziumkarbid-Heizelement SiC-Heizstab

Das Siliziumkarbid-Heizelement ist ein elektrisches Hochtemperatur-Heizelement, das aus hochreinem grünem Siliziumkarbid und Ruß durch Hochtemperaturverkieselung und Rekristallisation hergestellt wird. Im Vergleich zu anderen metallischen elektrischen Heizelementen bietet es die Vorteile einer Säure- und Alkali-Korrosionsbeständigkeit, einer starken Oxidationsbeständigkeit, einer großen Oberflächenlastdichte, eines schnellen Temperaturanstiegs, einer guten Wärmeschockbeständigkeit, eines kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten, einer hohen Wärmeleitfähigkeit und einer hohen Arbeitstemperatur. Lange Lebensdauer, bei Integration mit einem automatischen elektronischen Steuerungssystem kann nicht nur eine genaue konstante Temperatur erreicht werden, sondern auch eine automatische Temperaturregelung entsprechend den Anforderungen des Produktionsprozesses erreicht werden.

  • Marke:

    ATCERA
  • Artikelnr.:

    AT-THG-BA001
  • Materialien

    SiC
  • Formen

    Rod , Mechanical Parts
  • Anwendungen

    Semiconductor , Petrochemical Industry , Metallurgy Industry
SiC heating element

Eigenschaften des Siliziumkarbid-Heizelements

Das Siliziumkarbid-Heizelement bietet die Vorteile einer Säure- und Alkali-Korrosionsbeständigkeit, einer starken Oxidationsbeständigkeit, einer großen Oberflächenlastdichte, einer schnellen Erwärmung, einer guten Temperaturwechselbeständigkeit, eines kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten, einer hohen Wärmeleitfähigkeit, einer hohen Betriebstemperatur und einer langen Lebensdauer. usw.

1. Säure- und Alkali-Korrosionsbeständigkeit sowie Oxidationsbeständigkeit;

2. Die Oberflächenlastdichte ist größer als bei elektrischen Heizelementen aus Metall, die Wärmeleitfähigkeit und der thermische Wirkungsgrad sind hoch, der Temperaturanstieg erfolgt schnell;

3. Gute Temperaturwechselbeständigkeit, schnelle Hitze- und Kältebeständigkeit, kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient;

4. Die Einsatztemperatur kann auch ohne Schutzatmosphäre bis zu 1600 °C betragen und die Dauerlebensdauer kann mehr als 2000 Stunden erreichen.

Applications of SiC Heater Element

Anwendungen des SiC-Heizelements

Als elektrische Heizkomponente für verschiedene Arten von Brennöfen, Schmelzöfen, Vakuumöfen, Muffelöfen und anderen Heizgeräten wird das Siliziumkarbid-Heizelement häufig in der Metall-, Elektronik-, chemischen Industrie, Keramik, Glas, Halbleiterindustrie und anderen Bereichen eingesetzt, um hohe Temperaturen zu erzeugen Temperaturumgebung für den Produktionsprozess, thermische Analyse, wissenschaftliche Forschung.

1. Metallindustrie: Wärmebehandlung verschiedener Metalle, Aufkohlungs- und Nitrierbehandlung sowie Sintern der Pulvermetallurgie;

2. Elektronik- und Halbleiterindustrie: Sintern von Komponenten wie Widerständen, Kondensatoren und Keramiksubstraten, Metallisierung von Substraten, Wärmebehandlung optischer Fasern usw.;

3. Keramik- und Glasindustrie: verschiedene Keramiksinterungen, Glasschmelzen und Oberflächenbehandlungen sowie Keramik- und Glasfaserherstellung;

4. Chemische Industrie: Sintern verschiedener Beschichtungsmaterialien und anderer Chemikalien, Erhitzen chemischer Reaktanten usw.;

5. Laboranalyse: Prüfung unter Hochtemperaturbedingungen sowie thermische Analyse.

Größentabelle für Siliziumkarbid-Heizelement

Wir sind bestrebt, erstklassige Siliziumkarbid-Heizelemente zu liefern, die genau auf Ihre Spezifikationen zugeschnitten sind. Unser engagiertes Team sorgt für die sorgfältige Einhaltung Ihrer Anweisungen und ist bestrebt, die Erwartungen der Kunden zu übertreffen. Darüber hinaus bieten wir die Flexibilität kundenspezifischer Größen, um Ihren individuellen Anforderungen gerecht zu werden.

Zeichnungen, Spezifikationsanforderungen und Informationen zu Nutzungsszenarien müssen bereitgestellt werden, wenn ein individuelles Design gewünscht wird.

Bearbeitungstoleranz:
1. Durchmesser ≤50 mm: ±0,5 mm
2. Durchmesser 50–100 mm: ±1,5 mm
3. Durchmesser 100–300 mm: ±3 mm
4. Länge ≤500 mm: ±2 mm
5. Länge 500–2000 mm: ±3 mm

Technische Spezifikation:
Schüttdichte 2,5–2,8 g/cm3
Porosität 5 %–23 %
Biegefestigkeit 50–98 MPa
Wärmeleitfähigkeit 14-21W/m*â (bei 1000â)
Wärmeausdehnungskoeffizient 4,5*10-6/â (bei 1000â)
Maximale Arbeitstemperatur 1380-1600â

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Single Helical

Einzelspiralförmiges Siliziumkarbid-Heizelement
Artikel-Nr. Außendurchmesser
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge der
Kaltzone
(mm)
Gesamtlänge
(mm)
Heizzone
(cm²)
Spannung
(v)
Leistung
(w)
Widerstandsbereich (±20 %)
( Ω )

SiCs Reinheit

AT-THG-BA001 14 200 200 600 87 59 1650 2.11 99 %
AT-THG-BA002 14 200 250 700 87 60 1680 2.14 99 %
AT-THG-BA003 14 250 200 650 109 71 1990 2,53 99 %
AT-THG-BA004 14 250 250 750 109 73 2040 2,61 99 %
AT-THG-BA005 14 300 250 800 131 85 2380 3.04 99 %
AT-THG-BA006 16 200 250 700 100 58 1970 1,71 99 %
AT-THG-BA007 16 250 200 650 125 69 2350 2.03 99 %
AT-THG-BA008 16 250 250 750 125 70 2380 2.06 99 %
AT-THG-BA009 16 250 300 850 125 71 2410 2.09 99 %
AT-THG-BA010 16 300 200 700 150 81 2750 2,39 99 %
AT-THG-BA011 16 300 250 800 150 82 2790 2,41 99 %
AT-THG-BA012 16 300 300 900 150 83 2820 2,44 99 %
AT-THG-BA013 16 350 250 850 175 94 3200 2,76 99 %
AT-THG-BA014 16 350 300 950 175 95 3230 2,79 99 %
AT-THG-BA015 20 300 400 1100 188 84 3440 2,05 99 %
AT-THG-BA016 20 350 400 1150219 97 3980 2,36 99 %
AT-THG-BA017 20 400 400 1200 251 109 4470 2,66 99 %
AT-THG-BA018 20 450 400 1250 282 121 4960 2,95 99 %
AT-THG-BA019 25 300 400 1100 235 84 4120 1,71 99 %
AT-THG-BA020 25 300 500 1300 235 86 4210 1,76 99 %
AT-THG-BA021 25 400 400 1200 314 110 5390 2,24 99 %
AT-THG-BA022 25 500 400 1300 392 135 6620 2,75 99 %
AT-THG-BA023 30 300 400 1100 282 79 4980 1,25 99 %
AT-THG-BA024 30 300 500 1300 282 80 5040 1,27 99 %
AT-THG-BA025 30 400 400 1200 376 103 6490 1,63 99 %
AT-THG-BA026 30 400 500 1400 376 104 6550 1,65 99 %
AT-THG-BA027 30 500 400 1300 471 127 8000 2.02 99 %
AT-THG-BA028 30 600 400 1400 565 151 9510 2.4 99 %
AT-THG-BA029 35 400 400 1200 439 101 7680 1,33 99 %
AT-THG-BA030 35 400 500 1400 439 102 7750 1,34 99 %
AT-THG-BA031 35 500 400 1300 549 124 9420 1,63 99 %
AT-THG-BA032 35 500 500 1500 549 125 9500 1,64 99 %
AT-THG-BA033 35 600 400 1400 659 148 11200 1,96 99 %
AT-THG-BA034 35 700 400 1500 769 171 13000 2,25 99 %
AT-THG-BA035 40 500 400 1300 628 116 10700 1,26 99 %
AT-THG-BA03640 500 500 1500 628 117 10800 1,27 99 %
AT-THG-BA037 40 600 400 1400 753 138 12700 1,5 99%
AT-THG-BA038 40 700 400 1500 879 161 14800 1,75 99%
AT-THG-BA039 45 700 450 1600 989 149 16800 1,32 99 %
AT-THG-BA040 45 800 400 1600 1130 168 19000 1,49 99 %

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Double Helical

Siliziumkarbid-Heizelement, doppelt spiralförmig
Artikel-Nr. AD
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge von
Kalte Zone
(mm)
Gesamtlänge
(mm)
Heizzone
(cm²)
Spannung
(v)
Leistung
(w)
Widerstandsbereich (±20 %)
( Ω )
SiC-Reinheit
AT-THG-BB001 16 100 150 250 50 61 940 3,96 99 %
AT-THG-BB002 16 100 200 300 50 69 1060 4.49 99 %
AT-THG-BB003 16 150 150 300 75 84 1290 5.47 99 %
AT-THG-BB004 16 150 250 400 75 99 1520 6,45 99 %
AT-THG-BB005 16 200 200 400 100 113 1740 7.34 99 %
AT-THG-BB006 16 250 200 450 125 135 2080 8,76 99 %
AT-THG-BB007 20 100 150 250 62 58 1110 3.03 99 %
AT-THG-BB008 20 100 250 350 62 72 1380 3,76 99 %
AT-THG-BB009 20 150 200 350 94 87 1670 4,53 99 %
AT-THG-BB010 20 200 200 400 125 109 2090 5,68 99 %
AT-THG-BB011 20 250 150 400157 124 2380 6.46 99 %
AT-THG-BB012 20 250 250 500 157 138 2650 7.19 99 %
AT-THG-BB013 20 300 250 550 188 160 3070 8.34 99 %
AT-THG-BB014 25 150 200 350 117 87 2000 3,78 99 %
AT-THG-BB015 25 200 200 400 157 110 2530 4,78 99 %
AT-THG-BB016 25 200 300 500 157 121 2780 5.27 99 %
AT-THG-BB017 25 300 300 600 235 167 3840 7.26 99 %
AT-THG-BB018 25 300 400 700 235 179 4120 7,78 99 %
AT-THG-BB019 25 350 300 650 274 191 4390 8.31 99 %
AT-THG-BB020 25 400 300 700 314 214 4920 9.31 99 %
AT-THG-BB021 30 200 200 400 188 190 2790 2.9 99 %
AT-THG-BB022 30 250 200 450 235 111 3440 3,58 99 %
AT-THG-BB023 30300 300 600 282 132 4090 4.26 99 %
AT-THG-BB024 30 350 350 700 329 153 4740 4,94 99 %
AT-THG-BB025 30 400 400 800 376 174 5390 5.62 99 %
AT-THG-BB026 30 450 350 800 424 194 6010 6.26 99 %
AT-THG-BB027 30 500 300 800 471 214 6630 6.91 99 %
AT-THG-BB028 35 200 200 400 219 89 3260 2,43 99 %
AT-THG-BB029 35 250 200 450 274 109 3990 2,98 99 %
AT-THG-BB030 35 300 300 600 329 130 4760 3,55 99 %
AT-THG-BB031 35 400 300 700 439 171 6260 4,67 99 %
AT-THG-BB032 35 450 350 800 494 191 6990 5.22 99 %
AT-THG-BB033 35 500 300 800 549 211 7720 5,77 99 %
AT-THG-BB034 40 200 200 400 251 86 3660 2.02 99 %
AT-THG-BB035 40 250 200 450 314 106 4510 2,49 99 %
AT-THG-BB036 40 300 300 600 376 127 5400 2,99 99 %
AT-THG-BB037 40 350 300 650 439 147 6250 3.46 99 %
AT-THG-BB038 40 400 300 700 502 167 7100 3.93 99 %
AT-THG-BB039 40 400 400 800 502 167 7100 3,93 99%
AT-THG-BB040 40 450 300 750 565 186 79104,37 99%
AT-THG-BB041 40 450 350 800 565 187 7950 4.4 99%
AT-THG-BB042 40 500 300 800 628 206 8760 4,84 99 %

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Rod

Siliziumkarbid-Heizelementstab
Artikel-Nr. OD
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge der
Kaltzone
(mm)
Widerstandsbereich
( Ω )
SiCs Reinheit
AT-THG-BC001 14 200 250 1,2-1,3 99 %
AT-THG-BC002 14 250 250 1,5-3,0 99 %
AT-THG-BC003 14 300 2501,8-3,5 99 %
AT-THG-BC004 14 400 350 2,3-4,7 99 %
AT-THG-BC005 14 500 350 2,9-5,9 99 %
AT-THG-BC006 16 200 200 0,9-1,9 99 %
AT-THG-BC007 16 250 200 1.2-2.4 99 %
AT-THG-BC008 16 300 300 1,4-2,8 99 %
AT-THG-BC009 18 250 250 0,9-1,8 99 %
AT-THG-BC010 18 300 350 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BC011 18 400 250 1,4-2,9 99 %
AT-THG-BC012 18 500 350 1,8-3,6 99 %
AT-THG-BC013 20 200 200 0,6-1,2 99 %
AT-THG-BC014 20 250 250 0,7-1,4 99 %
AT-THG-BC015 20 300 300 0,8-1,6 99 %
AT-THG-BC016 20 400 350 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BC017 20 500 400 1,4-2,8 99 %
AT-THG-BC018 20 600 350 1,5-3,0 99 %
AT-THG-BC019 25 300 400 0,6-1,3 99 %
AT-THG-BC020 25 400 400 0,8-1,7 99 %
AT-THG-BC02125 500 400 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BC022 25 600 500 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BC023 25 800 450 1,7-3,4 99 %
AT-THG-BC024 25 900 400 1,9-3,8 99 %
AT-THG-BC025 25 1000 500 2,2-4,5 99 %
AT-THG-BC026 30 400 400 0,5-0,9 99 %
AT-THG-BC027 30 500 400 0,6-1,2 99 %
AT-THG-BC028 30 1000 500 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BC029 30 1200 500 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BC030 30 1300 500 1,4-2,9 99 %
AT-THG-BC031 30 1500 250 1,6-3,4 99 %
AT-THG-BC032 30 1500 300 1,6-3,4 99 %
AT-THG-BC033 30 1500 600 1,6-3,4 99 %
AT-THG-BC034 30 2000 650 2.2-4.4 99 %
AT-THG-BC035 35 400 400 0,4-0,8 99 %
AT-THG-BC036 35 500 400 0,5-1,0 99 %
AT-THG-BC037 35 1000 500 1.0-2.0 99 %
AT-THG-BC038 35 1200 500 1.1-2.299 %
AT-THG-BC039 35 1500 500 1,4-2,8 99 %
AT-THG-BC040 40 400 400 0,3-0,7 99 %
AT-THG-BC041 40 1000 500 0,8-1,7 99 %
AT-THG-BC042 40 1500 500 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BC043 40 2000 650 1,7-3,4 99 %
AT-THG-BC044 40 2400 700 2.0-4.0 99 %
AT-THG-BC045 40 2600 850 2.2-4.4 99 %

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Dumbbell

Siliziumkarbid-Heizelement-Hantel
Artikel-Nr. Kleiner Seiten-Außendurchmesser
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge der
Kaltzone
(mm)
Außendurchmesser der großen Seite
(mm)
Widerstandsbereich
( Ω )
SiC-Reinheit
AT-THG-BD001 8 180 60 14 2.6-5.2 99 %
AT-THG-BD002 8 180 150 14 2.6-5.2 99 %
AT-THG-BD003 8 150 150 14 2,2-4,5 99 %
AT-THG-BD004 8 180 180 14 2.6-5.2 99 %
AT-THG-BD005 8 200 150 14 2,9-5,8 99 %
AT-THG-BD006 12 150 200 20 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BD007 12 200 200 20 1,4-2,9 99 %
AT-THG-BD008 12 250 200 20 1,8-3,8 99 %
AT-THG-BD009 14 180 150 22 1.3-2.3 99 %
AT-THG-BD010 14 150 250 22 0,9-1,8 99 %
AT-THG-BD011 14 200 250 22 1.2-2.3 99 %
AT-THG-BD012 14 250 250 22 1,5-3,0 99 %
AT-THG-BD013 14 300 250 22 1,8-3,5 99 %
AT-THG-BD014 14 400 350 22 2,3-4,7 99 %
AT-THG-BD01518 300 250 28 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BD016 18 300 350 28 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BD017 18 400 250 28 1,4-2,9 99 %
AT-THG-BD018 18 500 350 28 1,8-3,6 99 %
AT-THG-BD019 18 600 350 28 2.1-4.3 99 %
AT-THG-BD020 18 400 400 28 1,4-2,9 99 %
AT-THG-BD021 25 400 400 38 0,8-1,7 99 %
AT-THG-BD022 25 600 500 38 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BD023 25 800 450 38 1,7-3,4 99 %
AT-THG-BD024 25 500 400 45 0,6-1,2 99 %
AT-THG-BD025 30 1000 500 45 1.1-2.2 99 %
AT-THG-BD026 30 1200 500 45 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BD027 40 1000 500 56 0,8-1,7 99 %
AT-THG-BD028 40 1500 500 56 1,3-2,6 99 %
AT-THG-BD029 40 2400 700 56 2,0-4,0 99 %
AT-THG-BD030 40 2600 850 56 2.2-4.4 99 %

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type W

Siliziumkarbid-Heizelement Typ W
Artikel-Nr. Wärmezonen-Außendurchmesser
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge der
Kaltzone
(mm)
Mittelabstand
(mm)
Brücken-Außendurchmesser
(mm)
Gesamtlänge
(mm)
SiC-Reinheit
AT-THG-BF001 14 200 250 40 14 54 99 %
AT-THG-BF002 14 250 300 50 14 64 99 %
AT-THG-BF003 14 300 350 60 14 74 99 %
AT-THG-BF004 16 200 250 40 16 56 99 %
AT-THG-BF005 16 250 300 50 16 66 99 %
AT-THG-BF006 16 300 350 60 16 76 99 %
AT-THG-BF007 18 300 350 60 18 78 99 %
AT-THG-BF008 18 400 400 70 18 88 99 %
AT-THG-BF009 18 500 450 75 18 93 99 %
AT-THG-BF010 20 250 300 50 20 70 99 %
AT-THG-BF011 20 300 350 60 20 80 99 %
AT-THG-BF012 20 400 400 70 20 90 99 %
AT-THG-BF013 25 400 400 70 25 95 99 %
AT-THG-BF014 25 500 450 75 25 100 99 %
AT-THG-BF015 25 600 500 80 25 105 99 %
AT-THG-BF016 30 600 400 70 30 100 99 %
AT-THG-BF017 30 700 450 75 30 105 99 %
AT-THG-BF018 30 800 500 80 30 110 99 %

Drawing of Silicon Carbide Heating Element Type U

Siliziumkarbid-Heizelement Typ U
Artikel-Nr. Außendurchmesser der Wärmezone
(mm)
Länge der
Wärmezone
(mm)
Länge der
Kaltzone
(mm)
Mittelabstand
(mm)
Brücken-Außendurchmesser
(mm)
Gesamtlänge
(mm)
Widerstandsbereich
( Ω )
SiC-Reinheit
AT-THG-BU001 14 200 250 40 14 54 2,4-4,6 99 %
AT-THG-BU002 14 250 300 50 14 64 3.0-6.0 99 %
AT-THG-BU003 14 300 350 60 14 74 3,6-7,0 99 %
AT-THG-BU004 16 200 250 40 16 56 1,4-2,8 99 %
AT-THG-BU005 16 250 300 50 16 66 1,8-3,6 99 %
AT-THG-BU006 16 300 350 60 16 76 2.0-5.0 99 %
AT-THG-BU007 18 300 350 60 18 78 2,0-5,0 99 %
AT-THG-BU008 18 400 400 70 18 88 2,8-5,8 99 %
AT-THG-BU009 18 500 450 75 18 93 3.6-7.2 99 %
AT-THG-BU010 20 250 300 50 20 70 1,8-3,6 99 %
AT-THG-BU011 20 300 350 60 20 80 2,0-5,0 99 %
AT-THG-BU012 20 400 400 70 20 90 2,8-5,8 99 %
AT-THG-BU013 25 400 400 70 25 95 1,6-3,4 99 %
AT-THG-BU014 25 500 450 75 25 100 2.2-4.4 99 %
AT-THG-BU015 25 600 500 80 25 105 2.6-5.2 99 %
AT-THG-BU016 30 600 400 70 30 100 1,4-2,8 99 %
AT-THG-BU017 30 700 450 75 30 105 1,6-3,2 99 %
AT-THG-BU018 30 800 500 80 30 110 1,8-3,6 99 %

Technische Daten von Silizium-Karbid Materialien

Artikel Einheit Indexdaten
Reaktionsgesintertes SiC
(SiSiC)
Mit SiC gebundenes Siliziumnitrid
(NBSiC)
Gesintertes SiCn ohne Druck
(SSiC)
SiC-Gehalt % 85 80 99
Kostenloser Siliziuminhalt % 15 0 0
Max. Service-Temp. â 1380 1550 1600
Dichte g/cm3 3.02 2,72 3.1
Porosität % 0 12 0
Biegefestigkeit 20â Mpa 250 160 380
1200â Mpa 280 180 400
Elastizitätsmodul 20â Gpa 330 220 420
1200â Gpa 300 / /
Wärmeleitfähigkeit 1200â W/m.k 45 15 74
Wärmeausdehnungskoeffizient K-1×10-6 4,5 5 4.1
Vickers-Härte HV kg/mm2 2500 2500 2800

*Diese Tabelle veranschaulicht die Standardeigenschaften der Siliziumkarbidmaterialien, die üblicherweise bei der Herstellung unserer SiC-Produkte und -Teile verwendet werden. Bitte beachten Sie, dass die Eigenschaften kundenspezifischer Siliziumkarbidprodukte und -teile je nach den spezifischen Prozessen variieren können.

Gebrauchsanweisung

1. Wählen Sie entsprechend den Anforderungen der Anwendung geeignete Typen und Parameter von Siliziumkarbid-Heizelementen aus, um sicherzustellen, dass die Installationsgröße, die Heiztemperatur und andere Anforderungen erfüllt werden;
2. Vermeiden Sie beim Transport und bei der Installation heftige Vibrationen und Stöße, um den SiC-Stab nicht zu beschädigen. Während der Installation sollte sich der SiC-Stab frei drehen können und sicherstellen, dass die Kaltend-Schaltungsverbindung fest ist und nicht abfällt;
3. Neue Öfen oder Elektroöfen, die längere Zeit nicht verwendet werden, müssen vor der Verwendung vorgewärmt werden. Es wird empfohlen, alte Stäbe oder andere Wärmequellen zu verwenden;
4. Beim Einschalten wird die Anfangsspannung auf etwa 50 % der Nennbetriebsspannung geregelt und steigt dann nach der Stabilisierung allmählich auf die Nennspannung an, wodurch das Risiko eines Bruchs durch starken Temperaturanstieg des Siliziumkarbidstabs verringert wird;
5. Betreiben Sie das Gerät nicht in einer Umgebung oberhalb der Nenntemperatur und vermeiden Sie während des Gebrauchs den Kontakt mit hochkonzentrierten schädlichen Gasen;
6. Beobachten Sie jederzeit, ob die Messwerte von Amperemeter, Voltmeter und Temperaturmesser normal sind, prüfen Sie regelmäßig, ob die Kaltendbefestigung locker ist, ob die Rotglut des Siliziumkarbidstab-Heizteils gleichmäßig ist, ob es ein Phänomen der Oxidationsschwärzung gibt, und anormale Siliziumkarbid-Heizelemente rechtzeitig austauschen;
7. Bei der Lagerung von Siliziumkarbidstäben ist Feuchtigkeit zu vermeiden, damit sie sich nicht zersetzen oder vom kalten Ende der Aluminiumschicht abfallen.

Wertvolle Informationen

SiC Heater Element Packing

SiC-Heizelementverpackung

SiC-Heizelemente werden sorgfältig in geeigneten Behältern verpackt, um mögliche Schäden zu vermeiden.

Vorteile der Anpassung
Vorteile der Anpassung

1. Analysieren Sie entsprechend Ihrem Anwendungsszenario den Bedarf und wählen Sie das entsprechende Material und den Verarbeitungsplan aus.

2. Professionelles Team, schnelle Reaktion, kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestätigung der Nachfrage Lösungen und Angebote bereitstellen.

3. Flexibler Mechanismus für die geschäftliche Zusammenarbeit, unterstützt mindestens eine Mengenanpassung.

4. Stellen Sie schnell Muster und Testberichte zur Verfügung, um zu bestätigen, dass das Produkt Ihren Anforderungen entspricht.

5. Unterbreiten Sie Produktnutzungs- und Wartungsvorschläge, um Ihre Nutzungskosten zu senken.

Verwandter Blog
Chemisch-mechanisches Polieren von AlN-Substrat: Der Schlüssel zur Überwindung von Mikrorissen und Schäden an der Oberfläche
Im Bereich der mikroelektronischen Verpackung werden Aluminiumnitridkeramiken aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit, mechanischen Festigkeit und elektrischen Eigenschaften nach und nach zum bevorzugten Material für Hochleistungs-Chipkühlsubstrate. Aufgrund seiner hohen Härte und Sprödigkeit kann es jedoch bei der Verarbeitung leicht zu Mikrorissen an der Oberfläche und Schäden unter der...
Studie zur Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumnitridsubstraten und Analyse des Einflusses von Sauerstoffverunreinigungen
Die meisten Substratmaterialien von integrierten Hochleistungs-Hybridschaltkreisen verwenden seit langem Al2O3- und BeO-Keramiken, aber die Wärmeleitfähigkeit des Al2O3-Substrats ist gering und der Wärmeausdehnungskoeffizient stimmt nicht gut mit Si überein. Obwohl die Gesamtleistung von BeO hervorragend ist, schränken seine hohen Produktionskosten und seine hochtoxischen Nachteile seine Anwendung...
Entwicklung keramischer Substratmaterialien: Durchbrüche von Aluminiumoxid zu Aluminiumnitrid und Siliziumnitrid
In der sich schnell verändernden Elektronikindustrie von heute sind keramische Substratmaterialien eine wichtige Grundlage für die Unterstützung leistungsstarker elektronischer Geräte. Ihre Leistung und Eigenschaften wirken sich direkt auf die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit elektronischer Produkte aus. Von den frühen Aluminiumoxidkeramiken bis hin zu den späteren Aluminiumnitriden, Siliziumnit...
Die Anwendbarkeit von Aluminiumnitridsubstrat als Verpackungsmaterial zur Verbesserung der Wärmeableitung in Leistungsgeräten
Mit der rasanten Entwicklung der elektronischen Technologie verbessert sich die Gesamtleistung elektronischer Chips von Tag zu Tag, aber die Gesamtgröße nimmt ab. Dieser Trend bringt erhebliche Leistungsverbesserungen mit sich, bringt aber auch eine ernsthafte Herausforderung mit sich – einen dramatischen Anstieg des Wärmeflusses. Bei elektronischen Geräten kann bereits ein kleiner Temperaturansti...
Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitridsubstraten
Im Bereich der modernen Keramikmaterialien hat Siliziumnitrid (Si3N4) aufgrund seiner hervorragenden mechanischen Festigkeit, chemischen Stabilität und Hochtemperatureigenschaften große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Allerdings ist die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitridkeramiken als einer der Schlüsselfaktoren für ihre breite Anwendung ein wichtiges Thema in der materialwissenschaftlichen For...
Erforschung des Gittervibrationsmechanismus und der Sinterhilfsstrategie von Siliziumnitridsubstraten
In Spitzentechnologien wie Hochleistungs-Elektronikverpackungen, Luft- und Raumfahrt und Energieumwandlung werden Siliziumnitrid-Substratmaterialien (Si3N4) aufgrund ihrer hervorragenden mechanischen Eigenschaften, chemischen Stabilität und hohen Temperaturbeständigkeit hoch geschätzt. Allerdings war die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitrid als einer der Schlüsselfaktoren für seine breite Anwendu...
Optimierung der Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitridsubstraten
Bei der Erforschung von Siliziumnitrid (Si3N4)-Substratmaterialien als Kern einer leistungsstarken Wärmemanagementlösung ist unser Verständnis ihrer Wärmeübertragungsmechanismen von entscheidender Bedeutung. Es ist bekannt, dass der Hauptmechanismus der Wärmeübertragung von Siliziumnitrid auf Gittervibrationen beruht, einem Prozess, der Wärme durch quantisierte heiße Ladungsträger, sogenannte Phon...
Anwendungspotenzial von Siliziumnitrid-Substrat im Bereich der Wärmeableitung von Halbleiterbauelementen
Nach dem Eintritt in das intelligente Informationszeitalter haben Halbleiterbauelemente unser Leben schnell in Beschlag genommen. Da die vom Werkstück erzeugte Wärme ein Schlüsselfaktor für den Ausfall von Halbleiterbauelementen ist, ist es zur Vermeidung vieler durch Geräteausfälle verursachter Probleme und zur Gewährleistung eines langfristig effektiven und sicheren Betriebs erforderlich, über e...
Optimieren Sie Sinteradditive, um die Leistung von AlN-Substraten zu verbessern
In praktischen Anwendungen wird von Aluminiumnitrid-Substraten neben einer hohen Wärmeleitfähigkeit und hohen elektrischen Isolationseigenschaften in vielen Bereichen auch eine hohe Biegefestigkeit verlangt. Derzeit beträgt die Dreipunktbiegefestigkeit von auf dem Markt befindlichem Aluminiumnitrid üblicherweise 400 bis 500 MPa, was die Förderung und Anwendung von Aluminiumnitrid-Keramiksubstraten...
Herstellungstechnologie von Dickschichtwiderständen auf AlN-Substrat
Mit dem kontinuierlichen Fortschritt der mikroelektronischen Verpackungstechnologie haben die Leistung und die Integration elektronischer Komponenten deutlich zugenommen, was zu einem deutlichen Anstieg der Wärmeerzeugung pro Volumeneinheit geführt hat, was strengere Anforderungen an die Wärmeableitungseffizienz gestellt hat (d. h , seine Wärmeleitungsleistung) der neuen Leiterplattengeneration. D...

Verwandte Produkte

FAQ

Obwohl unser Hauptaugenmerk auf fortschrittlichen Keramikmaterialien wie Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid und Quarzkeramik liegt, erforschen wir ständig neue Materialien und Technologien. Wenn Sie einen speziellen Materialbedarf haben, kontaktieren Sie uns bitte und wir werden unser Bestes tun, um Ihre Bedürfnisse zu erfüllen oder geeignete Partner zu finden.

Absolut. Unser technisches Team verfügt über fundierte Kenntnisse über keramische Materialien und umfangreiche Erfahrung im Produktdesign. Gerne beraten wir Sie bei der Materialauswahl und unterstützen Sie beim Produktdesign, um die optimale Leistung Ihrer Produkte sicherzustellen.

Bei uns gibt es keinen festen Mindestbestellwert. Wir konzentrieren uns stets darauf, die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen, und sind bestrebt, unabhängig von der Bestellgröße qualitativ hochwertige Dienstleistungen und Produkte anzubieten.

Neben Keramikprodukten bieten wir auch eine Reihe zusätzlicher Dienstleistungen an, darunter unter anderem: maßgeschneiderte Keramikverarbeitungsdienstleistungen basierend auf Ihren Bedürfnissen unter Verwendung von selbst hergestellten Rohlingen oder Halbzeugrohlingen; Wenn Sie an ausgelagerten Keramikverpackungs- und Metallisierungsdienstleistungen interessiert sind, kontaktieren Sie uns bitte für weitere Gespräche. Wir sind stets bestrebt, Ihnen eine Lösung aus einer Hand zu bieten, die Ihren unterschiedlichen Anforderungen gerecht wird.

Ja, das tun wir. Ganz gleich, wo Sie sich auf der Welt befinden, wir können die sichere und pünktliche Lieferung Ihrer Bestellung gewährleisten.

Senden Sie Ihre Anfrage

Hochladen
* File ONLY PDF/JPG./PNG. Available.
Submit Now

Kontaktieren Sie uns

Kontaktieren Sie uns
Füllen Sie einfach das untenstehende Formular so gut es geht aus. Und kümmern Sie sich nicht um die Details.
Einreichen
Looking for Video?
Kontaktieren Sie uns #
19311583352

Bürozeiten

  • Montag bis Freitag: 9:00–12:00 Uhr, 14:00–17:30 Uhr

Bitte beachten Sie, dass sich unsere Bürozeiten an der Pekinger Zeit orientieren, die acht Stunden vor der Greenwich Mean Time (GMT) liegt. Wir bedanken uns für Ihr Verständnis und Ihre Kooperation bei der entsprechenden Planung Ihrer Anfragen und Besprechungen. Bei dringenden Angelegenheiten oder Fragen außerhalb unserer regulären Öffnungszeiten können Sie uns gerne per E-Mail kontaktieren. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden. Vielen Dank für Ihr Geschäft und wir freuen uns darauf, Sie zu bedienen.

Heim

Produkte

whatsApp

Kontakt