Siliziumnitrid-Substrat Si3N4-Substrat Keramiksubstrat

Siliziumnitrid-Keramiksubstrat ist eine neue Generation von Halbleitersubstratmaterialien, hergestellt aus hochreinem Siliziumnitridpulver, mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und Isolierung, hoher mechanischer Festigkeit und Härte, kleinem Wärmeausdehnungskoeffizienten, guter Wärmeschockbeständigkeit, weit verbreitet in Halbleitern und integrierte Schaltkreise, einschließlich Leistungskomponenten, Wechselrichter, Leistungsmodule, integrierte Schaltkreise für mehrere Geräte usw.

Marke:
ATCERA
Artikelnr.:
AT-DHG-JB001

Materialien
Silicon Nitride (Si3N4) Ceramic
Formen
Substrate
Anwendungen
Semiconductor , Electronics and Electricity

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Eigenschaften von Siliziumnitrid-Substrat

1. Hohe Temperaturbeständigkeit, die maximale Einsatztemperatur kann 1300 °C erreichen;

2. Große Wärmeleitfähigkeit, bis zu 95 W/(â*m), kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient, nur 3*10-6/â, mit guter Thermoschockbeständigkeit;

3. Hohe mechanische Festigkeit, gute Zähigkeit, starke Beständigkeit gegen mechanische Stöße;

4. Gute elektrische Isolierung, hohe Durchbruchspannung, große Strombelastbarkeit;

5. Es widersteht der Erosion verschiedener Säuren, Laugen und anderer chemischer Substanzen und die Korrosionsbeständigkeit ist sehr gut.

Anwendungen von Si₃N₄ Substraten

Siliziumnitrid-Keramiksubstrate werden hauptsächlich in der Herstellung von Halbleiter-, Elektronik- und anderen mikroelektronischen Geräten als Substrat für Chips und elektronische Komponenten verwendet, einschließlich integrierter Schaltkreise (IC), Hochfrequenzgeräte (RF), piezoelektrische Komponenten, fotoelektrische Komponenten, Sensoren, MEMS usw andere mikroelektronische Geräte. Als Hochleistungsmaterial kann das Siliziumnitrid-Keramiksubstrat eine stabile Stützplattform bieten, um den normalen Betrieb und die Leistung der Komponenten sicherzustellen.

1. Anwendungen in der Elektronikindustrie

Siliziumnitrid-Keramiksubstrat weist eine hohe Isolationsleistung und eine ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit auf und kann die hohen Zuverlässigkeits- und Leistungsanforderungen elektronischer Komponenten erfüllen, die hauptsächlich bei der Herstellung elektronischer Komponenten wie elektronische Kondensatoren, Widerstände, magnetische Komponenten usw. verwendet werden An. Darüber hinaus kann es auch zur Herstellung der Mittelschicht von Hochgeschwindigkeitskommunikationsgeräten verwendet werden, um die stabile Übertragung von Hochfrequenzsignalen zu gewährleisten.

2. Photoelektrische Industrie

Siliziumnitrid-Keramiksubstrate bieten eine gute thermische Leistung und mechanische Festigkeit und werden in der fotoelektrischen Industrie, insbesondere bei der Herstellung von Hochleistungs-LEDs, häufig verwendet, um die Stabilität und Lebensdauer von LED-Komponenten zu gewährleisten. Darüber hinaus kann es auch zur Herstellung von Trägermaterialien für Solarmodule verwendet werden, um deren mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit zu erhöhen.

3. Elektroindustrie

Das Siliziumnitrid-Keramiksubstrat weist eine hervorragende Isolationsleistung und eine gute Wärmeableitung auf und kann zur Herstellung verschiedener elektrischer Hochleistungskomponenten wie Leistungsmodulen, Heizmodulen usw. verwendet werden, wodurch die Lebensdauer und Zuverlässigkeit elektrischer Geräte effektiv gewährleistet wird .

Größentabelle des Si₃N₄-Substrats

Wir sind bestrebt, optimale Siliziumnitrid-Keramiksubstrate zu liefern, die genau auf Ihre Spezifikationen zugeschnitten sind. Unser engagiertes Team sorgt für die sorgfältige Einhaltung Ihrer Anweisungen und ist bestrebt, die Erwartungen der Kunden zu übertreffen. Darüber hinaus bieten wir die Flexibilität kundenspezifischer Größen, um Ihren individuellen Anforderungen gerecht zu werden.

Zeichnungs- und Spezifikationsanforderungen müssen bereitgestellt werden, wenn ein individuelles Design gewünscht wird.

Bearbeitungstoleranz:

1. Durchmesser: ±0,003 mm

2. Lochtiefe: ±0,005 mm

3. Oberflächenrauheit: Ra0,02

4. Zylindrizität: ±0,002 mm

5. Konzentrizität: ±0,002 mm

6. Parallelität: ±0,002 mm

Anforderungen für kundenspezifisches Design senden

Drawing of Si3N4 Substrate Square and Rectangular

Si₃N₄ Substrat quadratisch und rechteckig
Artikelnr.	Länge (mm)	Breite (mm)	Dicke (mm)
AT-DHG-JB001	10	10	0,32
AT-DHG-JB002	20	20	0,32
AT-DHG-JB003	30	30	4.0
AT-DHG-JB004	40	40	0,5
AT-DHG-JB005	50	50	0,32
AT-DHG-JB006	50	50	0,635
AT-DHG-JB007	50	50	1.0
AT-DHG-JB008	50	50	2.0
AT-DHG-JB009	50	50	4.0
AT-DHG-JB010	50	50	9.0
AT-DHG-JB011	100	100	0,3
AT-DHG-JB012	100	100	0,5
AT-DHG-JB013	100	100	0,6
AT-DHG-JB014	100	100	1.0
AT-DHG-JB015	100	100	4.0
AT-DHG-JB016	100	100	9.0
AT-DHG-JB017	114	114	0,3
AT-DHG-JB018	114	114	0,5
AT-DHG-JB019	114	114	0,6
AT-DHG-JB020	114	114	1.0
AT-DHG-JB021	190	138	0,3
AT-DHG-JB022	190	138	0,5
AT-DHG-JB023	190	138	0,6
AT-DHG-JB024	190	138	1.0

Drawing of Si3N4 Substrate Round

Si₃N₄ Substrat rund
Artikelnr.	Durchmesser (mm)	Dicke (mm)
AT-DHG-JB025	5	0,25
AT-DHG-JB026	5	0,32
AT-DHG-JB027	5	0,625
AT-DHG-JB028	5	1
AT-DHG-JB029	10	0,25
AT-DHG-JB030	10	0,32
AT-DHG-JB031	10	0,625
AT-DHG-JB032	10	1
AT-DHG-JB033	20	0,25
AT-DHG-JB034	20	0,32
AT-DHG-JB035	20	0,625
AT-DHG-JB036	20	1
AT-DHG-JB037	40	0,25
AT-DHG-JB038	40	0,32
AT-DHG-JB039	40	0,625
AT-DHG-JB040	40	1
AT-DHG-JB041	50	0,25
AT-DHG-JB042	50	0,32
AT-DHG-JB043	50	0,625
AT-DHG-JB044	50	1
AT-DHG-JB045	100	0,32
AT-DHG-JB046	100	1
AT-DHG-JB047	100	2
AT-DHG-JB048	150	0,32
AT-DHG-JB049	150	1
AT-DHG-JB050	150	2
AT-DHG-JB051	150	20

Technische Daten von Siliziumnitrid-Materialien

Si3N4-Typ	Gasdrucksintern von Si3N4	Heißpressen und Sintern von Si3N4
Dichte (g/cm³)	3.2	3.3
Biegefestigkeit (MPa)	700	900
Young-Modul (GPa)	300	300
Poissonzahl	0,25	0,28
Druckfestigkeit (MPa)	2500	3000
Härte (GPa)	15	16
Bruchzähigkeit (MPa*m^1/2)	5~7	6~8
Maximale Arbeitstemperatur (â)	1100	1300
Wärmeleitfähigkeit (W/m*K)	20	25
Wärmeausdehnungskoeffizient (/â)	3*10^-6	3,1*10^-6
Wärmeschockbeständigkeit (ΔT â)	550	800

*Diese Tabelle veranschaulicht die Standardeigenschaften der Siliziumnitridmaterialien, die üblicherweise bei der Herstellung unserer Si₃N₄-Produkte und -Teile verwendet werden. Bitte beachten Sie, dass die Eigenschaften kundenspezifischer Siliziumnitrid-Produkte und -Teile je nach den spezifischen Prozessen variieren können. Detaillierte Parameter werden durch Art und Zusammensetzung des Stabilisierungsmittels bestimmt.

Gebrauchsanweisung

1. Kollisionen und Stöße während des Gebrauchs müssen Schäden vermeiden;

2. Die Arbeitstemperatur des Siliziumnitrid-Keramiksubstrats muss streng kontrolliert werden, lange Übertemperaturarbeiten sind zu vermeiden;

3. Das Siliziumnitrid-Keramiksubstrat weist eine gute Korrosionsbeständigkeit gegenüber Säuren, Laugen, Salz und anderen Chemikalien auf, der Kontakt mit Flusssäure sollte jedoch vermieden werden;

4. Die Oberfläche des Siliziumnitrid-Keramiksubstrats kann leicht mit Staub und Schmutz verunreinigt werden, was seine Leistung und Lebensdauer beeinträchtigen kann. Daher muss es während des Gebrauchs regelmäßig gereinigt werden, um die Oberfläche sauber und glänzend zu halten.

Wertvolle Informationen

Si₃N₄ Substrat Verpackung

Siliziumnitrid-Keramiksubstrate werden sorgfältig in geeigneten Behältern verpackt, um mögliche Schäden zu vermeiden.

Vorteile der Anpassung

1. Analysieren Sie entsprechend Ihrem Anwendungsszenario den Bedarf und wählen Sie das entsprechende Material und den Verarbeitungsplan aus.

2. Professionelles Team, schnelle Reaktion, kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestätigung der Nachfrage Lösungen und Angebote bereitstellen.

3. Flexibler Mechanismus für die geschäftliche Zusammenarbeit, unterstützt mindestens eine Mengenanpassung.

4. Stellen Sie schnell Muster und Testberichte zur Verfügung, um zu bestätigen, dass das Produkt Ihren Anforderungen entspricht.

5. Unterbreiten Sie Produktnutzungs- und Wartungsvorschläge, um Ihre Nutzungskosten zu senken.

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