AMB-Siliziumnitrid-Substrat, metallisiertes Si3N4-Substrat

Aktives Metalllöten (AMB) Siliziumnitrid-Substrat ist ein Siliziumnitrid-Keramiksubstrat mit kupfergebundener Metallisierung, es verfügt über elektrische Funktion und hohe Isolationseigenschaften, außerdem mit hoher Temperaturbeständigkeit, guter Temperaturwechselbeständigkeit und schneller Wärmeleitfähigkeit. AMB-Siliziumnitrid-Substrat ist Wird normalerweise als Verpackungssubstrat für Hochspannungs- und Hochleistungsgeräte verwendet, einschließlich Leistungsmodulen, Hochfrequenz-Schaltnetzteilen, Relais, Kommunikationsmodulen, LED-Modulen usw., und passt insbesondere zu den weit verbreiteten Halbleiter-SiC-Leistungsmodulen der dritten Generation in Elektrofahrzeugen, Schienenverkehr, Smart Grid, Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen.

Marke:
ATCERA
Artikelnr.:
AT-SIN-FT1001

Materialien
Si3N4
Formen
Substrate
Anwendungen
Semiconductor , Electronics and Electricity

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Eigenschaften von AMB-Siliziumnitrid-Substrat

1. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des AMB-Siliziumnitridsubstrats liegt nahe an dem eines Siliziumchips und weist eine gute thermische Anpassung auf, wodurch Übergangsschichten eingespart, Material- und Verarbeitungskosten gesenkt und eine hohe Zuverlässigkeit der verpackten Komponenten erzielt werden können.

2. Das AMB-Siliziumnitridsubstrat verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine große Stromtragfähigkeit, wodurch das Chipgehäuse sehr kompakt werden kann, sodass die Leistungsdichte erheblich verbessert und die Zuverlässigkeit des Systems und Geräts verbessert wird.

Anwendungen von metallisiertem Si₃N₄-Substrat

Das AMB-Siliziumnitrid-Substrat wird normalerweise als Verpackungssubstrat für Hochspannungs- und Hochleistungsgeräte verwendet, einschließlich Leistungsmodulen, Hochfrequenz-Schaltnetzteilen, Relais, Kommunikationsmodulen, LED-Modulen usw. und passt insbesondere zu den Halbleiter-SiC-Leistungsmodulen der dritten Generation , die in Elektrofahrzeugen, im Schienenverkehr, im Smart Grid, in der Luft- und Raumfahrt und in anderen Bereichen weit verbreitet sind.

Größentabelle von AMB-Siliziumnitrid-Substrat

Wir sind bestrebt, optimale AMB-Siliziumnitrid-Substrate zu liefern, die genau auf Ihre Spezifikationen zugeschnitten sind. Unser engagiertes Team sorgt für die sorgfältige Einhaltung Ihrer Anweisungen und ist bestrebt, die Erwartungen der Kunden zu übertreffen. Darüber hinaus bieten wir die Flexibilität kundenspezifischer Größen, um Ihren individuellen Anforderungen gerecht zu werden.

Das Substratdiagramm, das PCB-Designdiagramm (nicht erforderlich, wenn keine Ätzanfrage gestellt wird) sowie das Metallmaterial, die Schichtanzahl, die Dicke und andere notwendige Parameter müssen bereitgestellt werden, wenn ein individuelles Design gewünscht wird.

Oberflächenrauheit der Kupferschicht		Ra≤1,5μm, Rz≤10μm, Rmax=50μm
Beschichtungsschicht	Nickel	2–10 μm (P6 %–10 %)
	Silber	0,1–1,0 μm
	Nickelgold	Ni: 2–10 μm, Au: 0,01–0,15 μm
	Nickel-Gold-Palladium	Ni: 2–10 μm, Au: 0,01–0,15 μm, Pd: 0,01–0,15 μm
Lötmaske	Linienbreite, Abstand, Toleranz	≥0,2 mm, Toleranz ±0,2 mm
	Positionstoleranz	±0,2 mm
	Dicke	5-40μm
	Temperaturwechselbeständigkeit	≤320â/10s

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AMB-Siliziumnitrid-Substrat
Artikelnr.	*LB (mm)**	Dicke der Keramik (mm)	Dicke des Metalls (mm)
AT-SIN-FT1001	1010~127178	0,25	0,127, 0,2, 0,25, 0,3, 0,4, 0,5, 0,8
AT-SIN-FT1002		0,32
AT-SIN-FT1003		0,38
AT-SIN-FT1004		0,63
AT-SIN-FT1005		1.0
AT-SIN-FT1006		andere

Technische Daten von Siliziumnitrid-Materialien

Si3N4-Typ	Gasdrucksintern von Si3N4	Heißpressen und Sintern von Si3N4
Dichte (g/cm³)	3.2	3.3
Biegefestigkeit (MPa)	700	900
Young-Modul (GPa)	300	300
Poissonzahl	0,25	0,28
Druckfestigkeit (MPa)	2500	3000
Härte (GPa)	15	16
Bruchzähigkeit (MPa*m^1/2)	5~7	6~8
Maximale Arbeitstemperatur (â)	1100	1300
Wärmeleitfähigkeit (W/m*K)	20	25
Wärmeausdehnungskoeffizient (/â)	3*10^-6	3,1*10^-6
Wärmeschockbeständigkeit (ΔT â)	550	800

*Diese Tabelle veranschaulicht die Standardeigenschaften der Siliziumnitridmaterialien, die üblicherweise bei der Herstellung unserer Si₃N₄-Produkte und -Teile verwendet werden. Bitte beachten Sie, dass die Eigenschaften kundenspezifischer Siliziumnitrid-Produkte und -Teile je nach den spezifischen Prozessen variieren können. Detaillierte Parameter werden durch Art und Zusammensetzung des Stabilisierungsmittels bestimmt.

Gebrauchsanweisung

1. Das AMB-Siliziumnitrid-Substrat muss einer langfristigen Einwirkung von Umgebungen mit hohen Temperaturen und dem Kontakt mit organischen Lösungsmitteln vermieden werden, um die Leistung nicht zu beeinträchtigen.

2. Überprüfen Sie vor der Verwendung, ob die Oberfläche des Untergrunds Kratzer, Risse oder andere Mängel aufweist, und stellen Sie sicher, dass keine Mängel vorliegen.

3. Stellen Sie sicher, dass das AMB-Siliziumnitrid-Substrat ordnungsgemäß an die Stromversorgung angeschlossen und ordnungsgemäß geerdet ist, um zu verhindern, dass statische Elektrizität das Substrat beschädigt.

Wertvolle Informationen

AMB Siliziumnitrid-Substrat Verpackung

AMB-Siliziumnitrid-Substrate werden sorgfältig in geeigneten Behältern verpackt, um mögliche Schäden zu vermeiden.

Vorteile der Anpassung

1. Analysieren Sie entsprechend Ihrem Anwendungsszenario den Bedarf und wählen Sie das entsprechende Material und den Verarbeitungsplan aus.

2. Professionelles Team, schnelle Reaktion, kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestätigung der Nachfrage Lösungen und Angebote bereitstellen.

3. Flexibler Mechanismus für die geschäftliche Zusammenarbeit, unterstützt mindestens eine Mengenanpassung.

4. Stellen Sie schnell Muster und Testberichte zur Verfügung, um zu bestätigen, dass das Produkt Ihren Anforderungen entspricht.

5. Unterbreiten Sie Produktnutzungs- und Wartungsvorschläge, um Ihre Nutzungskosten zu senken.

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