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Die Halbleiterherstellung ist der Eckpfeiler der Entwicklung moderner Wissenschaft und Technologie. Da die Industrie kontinuierlich nach kleineren, schnelleren und effizienteren integrierten Schaltkreisen strebt, nimmt auch die Präzision und technische Komplexität des Herstellungsprozesses zu. Jeder Schritt ist untrennbar mit leistungsstarken, hochwertigen und hochpräzisen Halbleitergeräten verbunden. Als strukturelles Keramikmaterial mit hervorragender Leistung weist Siliziumkarbid (SiC) die Eigenschaften hoher Dichte, hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Biegefestigkeit, hohem Elastizitätsmodul, starker Korrosionsbeständigkeit, hoher Temperaturbeständigkeit usw. auf. Es ist nicht leicht, Biegespannungsverformungen und thermische Belastungen zu erzeugen, und kann sich an die starke Korrosion und die ultrahohen Reaktionstemperaturen der Waferepitaxie, des Ätzens und anderer Fertigungsverbindungen anpassen. Daher wird es häufig in Halbleiterherstellungsprozessen wie Schleifen und Polieren, Epitaxie-/Oxidations-/Diffusionswärmebehandlung, Lithografie, Abscheidung, Ätzen und Ionenimplantation verwendet.

Die Waferherstellung ist untrennbar mit Oxidation, Diffusion, Glühen, Legierung und anderen Wärmebehandlungsprozessen verbunden. Die im Wärmebehandlungsprozess verwendete Halbleiterausrüstung umfasst Oxidationsöfen (die in horizontale und vertikale Öfen unterteilt sind) und Geräte zur schnellen Wärmebehandlung (RTP, RapidThermalProcessing). Aufgrund der hohen Betriebstemperatur sind auch die Leistungsanforderungen an die Komponenten in der Reaktionskammer hoch. Hochreine gesinterte Siliziumkarbidteile weisen die Eigenschaften hoher Festigkeit, hoher Härte, hohen Elastizitätsmodul, hoher spezifischer Steifigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit, niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten usw. auf und sind unverzichtbare Teile in der Reaktionskammer von Wärmebehandlungsgeräten für integrierte Schaltkreise. Dazu gehören hauptsächlich vertikale Boote , Sockel , Innenrohre  und wärmeisolierende Prallplatten.

Derzeit wird der größte Marktanteil des Marktes für hochreines gesintertes Siliziumkarbid für Halbleiterausrüstung hauptsächlich von ausländischen Unternehmen wie der japanischen Kyokera Group und dem US-amerikanischen Quastai dominiert. Durch langfristige technologische Anhäufung und Innovation haben sie nicht nur eine komplette Produktpalette entwickelt, sondern auch die Verarbeitungstechnologie von Materialeigenschaften, Präzision und komplexer Struktur hat das branchenführende Niveau erreicht. Sie können spezielle Komponenten für Kerngeräte integrierter Schaltkreise wie Photolithografiemaschinen, Plasmaätzgeräte, Filmabscheidungsgeräte und Ionenimplantationsgeräte bereitstellen.